台积电美国5nm芯片厂取得突破 2024年如期量产
台积电在美国建设的台积突破5nm晶圆厂日前取得了重要进展，位于美国亚利桑那州的电美Fab 21工厂举行了上梁典礼。
据台积电介绍，片厂这次的年期上梁典礼约有4000多名台积电员工及合作伙伴参加，他们一起庆祝了台积电5nm工厂的量产里程碑，这意味着工厂的台积突破基础设施差不多完工，后面就是电美要安装设备、调试了。片厂
按照台积电的年期规划，这座芯片工厂将于2024年正式量产，量产第一期月产能约为2万晶圆，台积突破以5nm工艺为主，电美这将是片厂美国最先进的半导体工艺。
不过台积电在美国建5nm芯片厂的年期做法也不是没有代价，那就是量产成本太高，此前已经退休的台积电创始人张忠谋认为美国试图增加其国内芯片产量的是浪费而且昂贵的徒劳之举。
张忠谋认为，美国缺乏在晶圆厂工作的人才，而且也不像台湾的芯片工厂那样可以三班倒以实现7x24小时生产，还有就是美国无法在成本上无法竞争，在美国制造芯片的成本比台湾高50%。
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